而止步……用duv浸润式光刻机搞等效五纳米的芯片，这个太扯淡了，从商业角度来看完全不值得。
所以这两家芯片先进工艺的竞争对手，在使用duv浸润式光刻机制造等效五纳米工艺这一技术路线上，都是雷声大，雨点小……都在指望euv光刻机呢。
至于四星和英特尔，他们就更惨了，他们连十纳米工艺，嗯，也就是大概三十三半金属工艺节点都还没有搞出来呢。
等效七纳米，遥遥无期……
其中的英特尔是受限于各种情况，技术推进非常不顺利，只能在十四纳米工艺上修修改改。
而四星那边，则是之前被智云半导体挖走了梁松教授，没有顶级人才的协助下他们搞起来先进工艺也很难，现在还在十四纳米工艺里打转。
同时，这两家半导体厂商，现在也开始指望用euv光刻机搞后续的七纳米工艺……用duv浸润式光刻机玩四重曝光，然后搞等效七纳米，太尼玛难了。
所以，duv浸润式光刻机受限于本身的分辨率限制，别说搞等效五纳米了，就算是用来做等效七纳米工艺，也是千难万难……也不是搞不了，而是良率太低了，进而导致芯片成本暴涨。
而芯片可是一个非常讲究性价比的东西，你性能没提升多少，但是成本暴涨好几倍，这是没有市场价值可言的。
到了等效七纳米工艺这个阶段，其实就需要euv光刻机了……因为它的分辨率更低，哪怕是单次曝光也能够达到duv浸润式光刻机四重曝光的精度……这意味着什么？
省钱啊！
哪怕euv光刻机更贵，生产效率更低，但是因为不需要四重曝光就能生产等效七纳米乃至五纳米工艺的芯片，因此生产出来的等效七纳米，五纳米工艺的芯片，其成本依旧低于duv浸润式光刻机。
当然，euv光刻机的潜力更大，后续还能够生产性能更好的芯片，这也是现在的duv浸润式光刻机所无法做到的。
比如等到未来，芯片工艺技术进一步发展，芯片的半金属间距进一步提升到四十多纳米、三十多纳米，甚至二十多纳米、十多纳米的时候……duv浸润式光刻机是无论如何都做不到的，这都和工艺没啥关系，而是物理极限就摆在这里，不能忽视基本的物理规律啊！
七纳米和五纳米阶段省钱，性价比高。
等效三纳米，二纳米，一点五纳米，一纳米阶段则是硬需求……没它就造不了。
上述这两点，就