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第232章 野心初现,和国际顶尖的差距(1 / 6)

第232章 野心初现,和国际顶尖的差距

“目前,干法刻蚀工艺主要是离子铣刻蚀、等离子刻蚀和反应离子刻蚀三种方案。”

“而这三种方案,离子铣刻蚀最为简单,可控性也比较高,技术成熟度也很高,相关的专利其实也已经被申请的差不多了,想要弯道超车,避开西方的专利壁垒,这个方案非常的难。”

“除此之外,这个方案也有技术本身的缺点,那就是刻蚀选择性极差,必须采用专门的刻蚀终点检测技术,并且刻蚀速率也比较低,性比价相当低。”

“而等离子刻蚀,虽然通过选择和控制放电气体的成分,可以得到较好的刻蚀选择性和较高的刻蚀速率,但是刻蚀精度却并不高,一般只能运用在大于4-5微米线条的工艺之中。”

“而我们实验里正在进行的项目,就是王总设计的反应离子刻蚀方案!”

陈凌岳一边介绍着,一边带着尹之耀等人朝着刻蚀方案项目区域而去。

听到陈凌岳这么介绍,尹之耀的神情并没有多大的变化。

论文他已经看过了,虽然有些吃惊王东来的动作迅速,直接就在自己的实验室进行验证,但如果只是这样的话,也只能算是一般,中规中矩。

尹之耀的心里想法,其实不仅是王东来能看出来,陈凌岳也能看出来。

一路无话,很快就到了地方。

作为刻蚀行业沉浸几十年的大佬,尹之耀心里不断地评价着这座实验室。

“看来银河科技还是很舍得在这方面投入的!”

等到见到实验项目的时候,尹之耀就变得无比认真起来。

眼睛一眨不眨地看着仪器。

现代的干法刻蚀设备包括复杂的机械、电气和真空装置,同时还配备有自动化的刻蚀终点检测和控制装置,价格昂贵,很少有实验室会完全配备。

而现在,尹之耀的面前就有这些仪器。

这些仪器,目前也经过人为的修理调整,用来验证王东来的反应离子刻蚀方案。

说实话,这些仪器如果不是陈凌岳加入银河科技的话,恐怕还需要大半年的时间甚至更长时间才能凑齐。

至于反应离子刻蚀的原理倒也算简单。

这种刻蚀过程同时兼具物理和化学两种作用,辉光放电在零点几到几十帕的低真空下进行,硅片处于阴极电位,放电时的电位大部分降落在阴极附近,大量带电粒子受垂直于硅片表面的电场加速,垂直入射

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