过气体将掺杂原子引入到硅晶圆的表面，再扩散到晶格中。」
「气体扩散这一技术在40年代就出现了，50年代贝尔实验室实现了精确控制，贝尔实验室1951年在《physical review》发表的论文里就详细描述了硅电晶体的扩散掺杂，公开了该技术。
当时电晶体的发明者肖克利提出了另外一项扩散技术，就是离子植入。
但目前硅谷都不一定实现了量产的离子植入工艺，华国人是怎幺搞定的呢？」穆勒百思不得其解，「而且要是真用到了离子植入，30美元一台的价格也未免太便宜了一点。有可能是我猜测错误。
如果我猜测错误的话，就是华国在气体扩散技术上有所突破，总之无论是哪种可能，我都建议我们要加大和华国的技术交流，我们和华国又没有矛盾，在半导体领域，我们完全可以合作，也应该要合作，尤其在东德要推广ogas的当下。」
(本章完)